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Ansys Lumerical发光
量子阱增益模拟器

Ansys Lumerical MQW模拟量子力学行为,允许您准确描述多量子阱结构中的能带结构、增益和自发辐射。

解决无法解决的问题

Lumerical MQW计算多量子阱堆的光学和电子性质

通过模拟原子薄半导体层中的量子力学行为,可以精确地描述多量子阱结构的能带结构、增益和自发发射。MQW耦合到Lumerical CHARGE, MODE和INTERCONNECT,以实现激光器,soa,电吸收调制器和其他增益驱动有源器件的设计。

  • 基于一维物理的求解器
    基于一维物理的求解器
  • 计算多量子阱堆的光电特性
    计算多量子阱堆的光电特性
  • 能带结构的特点
    能带结构的特点
  • 增益和自发辐射
    增益和自发辐射
Ansys Lumerical发光

快速规格

Lumerical MQW使设计者能够设计广泛的半导体增益元件。MQW在设计激光器、soa、电吸收调制器和其他增益驱动有源器件时提供了深刻的物理见解。

  • 波函数计算
  • 综合材料模型
  • 带图计算
  • 温度、场和应变效应
  • 增益和自发辐射

Fraunhofer HHI使用Ansys交付了其第一个SOA紧凑模型

高度集成的光子系统是满足高功率和高性能目标所必需的

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商业利益

由于能够导入紧凑的模型,使用Ansys INTERCONNECT设计和模拟具有SOA的电路。使用Lumerical MQW设计定制激光器和增益元件。

紧凑高效的SOA的开发是当前光电子行业的一个焦点。需要根据铸造厂测量值校准系统级模型,使工程师能够在电路级利用定制SOA,并确信其制造的电路将按预期工作。SOA紧凑模型的可用性受到所涉及物理的复杂性和有效解决问题的挑战的限制。由于HHI铸造厂现在提供了一个已参数化的紧凑模型,设计师可以避免昂贵的参数提取和校准工作。铸造厂校准模型为设计师提供了灵活性,同时为他们节省了通常与定制高级设备相关的迭代时间和成本。

有什么新鲜事吗

Ansys Lumerical MQW的新功能包括对提高生产力和模拟精度的支持,用于建模各种各样的增欧洲杯四强竞猜益元素:

欧洲杯四强竞猜激子载体

欧洲杯四强竞猜激子载体

准确模拟了用于集成光子学的常用III-V工艺制作的电吸收调制器(EAM)的调制响应电路.

MQW的新用户界面

MQW的新用户界面

使用材料数据库中的材料定义多量子阱结构,设置模拟控件并使用新的ansysmqw用户界面.

增加材料数据库

增加材料数据库

电和热材料数据库在有限元IDE中,现在包括了III-V三元和四元合金的材料属性,用于MQW求解器的模拟,包括k.p.模型参数。

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应用

采用行波激光模型(TWLM)的DFB激光器

本应用实例将模拟四分之一波移折射率耦合分布反馈(DFB)激光器,并将结果与文献进行比较。

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应用

多量子阱边发射激光器

在本例中,我们演示了模拟InGaAsP InP多量子阱(MQW)边发射激光器(EEL)的L-I曲线的工作流程。

探索激光模拟的力量

通过Lumerical MQW获得对激光和增益元件的深入物理洞察力。当与Lumerical电荷、模式和互连耦合时,Lumerical MQW提供设计激光器、SOA、电吸收调制器和其他增益驱动有源光子器件所需的所有模拟分析。MQW包括使用k.p方法的全耦合量子力学能带结构计算、波函数和能带图计算以及增益和自发辐射分析。Lumerical MQW与完整的材料库一起工作,并将自动为分数半导体合金构建模型。

主要特征

精密的激光模型仿真为更好的最终产品提供了集成和性能表征。

  • 集成激光仿真
  • 多量子阱增益
  • 综合材料模型

建立包含调谐和外部反馈效应的复杂激光模型,模拟和提取TWLM的关键参数,表征稳态和瞬态激光性能。

Lumerical MQW提供了用k.p方法计算全耦合量子力学能带结构。

  • 波函数与能带图计算
  • 增益与自发辐射
  • 包含温度、场和应变效应

Lumerical MQW包括一个全面的材料库与常见的III-V半导体。自动建立模型的部分半导体合金(例如。InGaAsP)。MQW是可访问和可定制的脚本。


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应用

采用行波激光模型(TWLM)的DFB激光器

本应用实例将模拟四分之一波移折射率耦合分布反馈(DFB)激光器,并将结果与文献进行比较。

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应用

多量子阱边发射激光器

在本例中,我们演示了模拟InGaAsP InP多量子阱(MQW)边发射激光器(EEL)的L-I曲线的工作流程。


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MQW产品参考手册

多量子阱参考手册提供了产品特性的详细描述。

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